Publication:
VO2-based multiple state micro-mechanical memory

dc.contributor.advisor Sepulveda Alancastro, Nelson
dc.contributor.author Cabrera Pizarro, Rafmag
dc.contributor.college College of Engineering en_US
dc.contributor.committee Fernández, Félix E.
dc.contributor.committee Toledo Quiñones, Manuel
dc.contributor.department Department of Electrical and Computer Engineering en_US
dc.contributor.representative Steinberg, Lev
dc.date.accessioned 2019-05-15T17:59:26Z
dc.date.available 2019-05-15T17:59:26Z
dc.date.issued 2011
dc.description.abstract A VO2-coated silicon micromechanical cantilever capable of achieving multiple positional states is presented. The demonstrated mechanical memory uses the bimorph cantilever tip displacement as the programming parameter, and light pulses from a laser diode as the actuation mechanism. The large contraction of the VO2 thin film across its insulator-to-metal-transition (IMT) caused the bending of the bimorph cantilever structure. Absolute displacements up to 21 μm were achieved in steps of different magnitudes when laser pulses of the same amplitude are used. The magnitude of the displacement steps were normalized to similar values along the excursion through the IMT by changing the magnitude of the laser pulses, demonstrating that the magnitude of the displacement steps can be controlled. The cantilever structure consisted of a silicon micrometer-sized cantilever (350 μm long, 35 μm wide, 1μm thick) coated with a 300 nm VO2 thin film deposited by pulsed-laser deposition (PLD). en_US
dc.description.abstract En este trabajo se presenta una micro-viga voladiza con una capa delgada de dióxido de vanadio, la cual es capaz de alcanzar múltiples estados estables de deflexión. Esta memoria mecánica utiliza la deflexión de la punta de la viga como el parámetro programable y utiliza pulsos de luz de un diodo de laser como el mecanismo de actuación. La contracción masiva de la capa delgada de VO2 a través de su transición aislante-metálica (IMT por sus siglas en ingles), causa la deflexión de la estructura. Una deflexión absoluta de hasta 21 μm se obtuvo en escalones de diferentes magnitudes utilizando pulsos de luz con un incremento de intensidad constante. La magnitud de los escalones se logró normalizar a través del IMT al cambiar la magnitud de los pulsos de luz, demostrando que la magnitud del desplazamiento se puede controlar. La estructura consistía en una viga voladiza de silicio de 350 μm de largo, 35 μm de ancho y 1 μm de espesor; con una capa delgada de 300 nm de VO2 depositada por láser pulsado (PLD por sus siglas en inglés). en_US
dc.description.graduationSemester Spring (2nd Semester) en_US
dc.description.graduationYear 2011 en_US
dc.description.sponsorship National Science Foundation under Grant No. ECCS-0954406 en_US
dc.identifier.uri https://hdl.handle.net/20.500.11801/2301
dc.language.iso English en_US
dc.rights.holder (c) 2011 Rafmag Cabrera Pizarro en_US
dc.rights.license All rights reserved en_US
dc.title VO2-based multiple state micro-mechanical memory en_US
dc.type Thesis en_US
dspace.entity.type Publication
thesis.degree.discipline Electrical Engineering en_US
thesis.degree.level M.S. en_US
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