Lozano Arroyo, Manuel Alejandro

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    Conmutación resistiva inducida eléctricamente en películas delgadas de V4O7/SiO2
    (2023-01-30) Lozano Arroyo, Manuel Alejandro; Rúa de la Asunción, Armando; College of Arts and Sciences - Sciences; Marrero, Pablo J.; Sánchez, Dilsom; Department of Physics; Villanueva Vega, Marién
    Películas delgadas de V4O7 de 150 nm de grosor fueron crecidas sobre sustratos de SiO2 mediante la técnica de sputtering reactivo por magnetrón DC. Picos característicos de V4O7 fueron confirmados por difracción de rayos X. La morfología de las muestras fue estudiada por microscopía de fuerza atómica y de rastreo. El tamaño de grano promedio fue ~ 0.6 μm, y los valores promedio de la rugosidad 35 nm. Se realizaron medidas de conductividad en función de la temperatura utilizando la técnica de Van der Pauw. Las películas exhibieron una transición metal aislante a una temperatura cercana a 237 K y un cambio en la conductividad de dos órdenes de magnitud, resultados similares a los del mismo material en grueso. Se utilizaron técnicas de litografía en la fabricación de dispositivos con diferentes dimensiones depositando electrodos metálicos de Au/Cr sobre las películas delgadas de V4O7/SiO2. Los dispositivos se caracterizaron eléctricamente mediante diagramas de voltaje y corriente en un rango de temperaturas de 150 K hasta temperatura ambiente. En las medidas realizadas a temperaturas mayores de 240 K se observó que los dispositivos obedecían la Ley de Ohm. Sin embargo, a una temperatura menor de 240 K se observaron cambios en la resistencia del material, propios del fenómeno de conmutación resistiva. Las curvas de voltaje y corriente, y la dependencia de la conmutación resistiva con la temperatura en los diferentes dispositivos, indican que parte de este fenómeno ocurre debido al calentamiento por el efecto Joule.