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Estudio de la transiciĆ³n de fase metal-semiconductor en diĆ³xido de vanadio
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Abstract
In this thesis we made a study about the Metal-Insulator phase transition with the purpose to determine, particularly, the parameters to play a important rol in the transition. For this we made a study of theories or models that exist currently about materials with different grade of disorder, the importance of correlation between electrons and the dimensionality of the system. Finally we choose for the treatment of our data a model derived from the scaling theory. We implemented a curve fit to experimental data of Electric Conductance G vs Temperature, in thin film of Vanadium Dioxide VO2, and we obtained a specific functional form for carrier density Ī“n in function of temperature. Additionally we define a rough criteria of critical region in terms of a interval of conductances that include the critical conductance gc. We proposed functional forms for curve fit of the conductance g in function of T to regions out of critical region, they been valid for our experimental data. All this for describe a full hysteresis cycle.
En esta tesis se realizĆ³ un estudio sobre la transiciĆ³n de fase metal-aislante en VO2 con el fin de determinar, en particular, los parĆ”metros que juegan un papel impor- tante en la transiciĆ³n. Para esto se hizo un estudio de las teorĆas o modelos existentes sobre materiales que presentan diferentes grados de desorden, la importancia de la correlaciĆ³n entre electrones y la dimensionalidad del sistema. Finalmente se escogiĆ³ para la descripciĆ³n un modelo derivado de la teorĆa de escala(Scaling Theory). Se implementĆ³ un ajuste de curva a los datos experimentales de conductancia elĆ©ctrica G vs temperatura T en pelĆcula delgada de diĆ³xido de vanadio obteniĆ©ndose la forma funcional especĆfica para la densidad de portadores Ī“ en funciĆ³n de la temperatura. Ademas se determinĆ³ un estimativo de la regiĆ³n crĆtica en tĆ©rminos de un intervalo de conductancias que incluye el valor de la conductancia crĆtica gc. Se proponen formas funcionales para los ajustes de curva de la conductancia g en funciĆ³n de la temperatura para regiones fuera de la regiĆ³n crĆtica y que incluyan datos experimentales con el objetivo de describir un ciclo de histĆ©resis en una muestra de V02. Finalmente se hace una breve discusiĆ³n sobre los valores de los parĆ”metros encontrados en cada una de las regiones.
En esta tesis se realizĆ³ un estudio sobre la transiciĆ³n de fase metal-aislante en VO2 con el fin de determinar, en particular, los parĆ”metros que juegan un papel impor- tante en la transiciĆ³n. Para esto se hizo un estudio de las teorĆas o modelos existentes sobre materiales que presentan diferentes grados de desorden, la importancia de la correlaciĆ³n entre electrones y la dimensionalidad del sistema. Finalmente se escogiĆ³ para la descripciĆ³n un modelo derivado de la teorĆa de escala(Scaling Theory). Se implementĆ³ un ajuste de curva a los datos experimentales de conductancia elĆ©ctrica G vs temperatura T en pelĆcula delgada de diĆ³xido de vanadio obteniĆ©ndose la forma funcional especĆfica para la densidad de portadores Ī“ en funciĆ³n de la temperatura. Ademas se determinĆ³ un estimativo de la regiĆ³n crĆtica en tĆ©rminos de un intervalo de conductancias que incluye el valor de la conductancia crĆtica gc. Se proponen formas funcionales para los ajustes de curva de la conductancia g en funciĆ³n de la temperatura para regiones fuera de la regiĆ³n crĆtica y que incluyan datos experimentales con el objetivo de describir un ciclo de histĆ©resis en una muestra de V02. Finalmente se hace una breve discusiĆ³n sobre los valores de los parĆ”metros encontrados en cada una de las regiones.
Description
Date
2015