Automated quantification of reverse recovery parameters for fast LDMOS devices

dc.contributor.advisor Jiménez-Cedeño, Manuel Bernal-Corrales, Carlos J. College of Engineering en_US
dc.contributor.committee Ducoudray, Gladys O.
dc.contributor.committee Palomera, Rogelio
dc.contributor.department Department of Electrical and Computer Engineering en_US
dc.contributor.representative Alers, Hilton 2017-09-14T18:19:30Z 2017-09-14T18:19:30Z 2016-07
dc.description.abstract The technological community is focused in increasing the operating frequency of power devices. There have been numerous efforts to develop transistors which are able to handle significant amounts of current at high-speeds. It is necessary to establish procedures in order to characterize the behavior of such devices. This thesis reports the development of an automated setup for performing tests on fast packaged and wafer-level LDMOS devices in order to extract their reverse recovery parameters. Automation is achieved using a Virtual Instruments Interface developed in LabViewTM. Several strategies were used to increase the operational frequency of the hardware setup enabling tests on devices up to 1.5MHz while adhering to the JEDEC standard for reverse parameters characterization. We addressed both, circuit functionality and PCB layout techniques. Moreover, the virtual instrument environment allows for handling the instrument setup, collecting the data, and extracting the parameters. The developed solution was implemented using low-cost testing equipment.
dc.description.abstract La comunidad tecnológica está enfocada en incrementar la frecuencia de operación de los dispositivos de potencia. Se han realizado múltiples esfuerzos para desarrollar transistores capaces de manejar grandes cantidades de corriente a altas velocidades. Es necesario establecer procedimientos para caracterizar el comportamiento de éstos dispositivos. Esta tesis presenta el desarrollo de una plataforma de prueba automatizada, capaz de ejecutar pruebas en dispositivos LDMOS de alta velocidad tanto a nivel de empaquetado como de oblea de silicio para extraer sus parámetros de recuperación inversa. La automatización es lograda utilizando un ambiente virtual desarrollado en LabViewTM. Se usaron múltiples estrategias para incrementar la frecuencia de operación del circuito desarrollado, permitiendo pruebas a dispositivos de hasta 1.5 MHz, mientras satisface el estándar JEDEC para la caracterización de los parámetros de recuperación inversa. Para esto se abordó tanto la funcionalidad del circuito como el diseño del circuito impreso. Además, el ambiente virtual está a cargo del manejo de instrumentos, de la recolección de datos y de la extracción de parámetros. La solución desarrollada fue implementada utilizando equipos de bajo costo.
dc.description.graduationSemester Summer en_US
dc.description.graduationYear 2016 en_US
dc.description.sponsorship Texas Instruments (TI-UPRM) en_US
dc.language.iso en en_US
dc.rights.holder (c) 2016 Carlos Julio Bernal Corrales en_US
dc.rights.license All rights reserved en_US
dc.subject LDMOS devices en_US
dc.subject MOSFET en_US
dc.subject.lcsh Semiconductors -- Characterization en_US
dc.subject.lcsh Electronic circuits en_US
dc.subject.lcsh Metal oxide semiconductor field-effect transisitors en_US
dc.title Automated quantification of reverse recovery parameters for fast LDMOS devices en_US
dc.title.alternative Cuantificación automatizada de los parámetros de recuperación inversa en dispositivos LDMOS de alta velocidad en_US
dc.type Thesis en_US
dspace.entity.type Publication Electrical Engineering en_US M.S. en_US
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