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dc.contributor.advisorJiménez-González, Héctor J.
dc.contributor.authorRosas-Niño, Blanca Yamile
dc.date.accessioned2019-04-15T17:19:19Z
dc.date.available2019-04-15T17:19:19Z
dc.date.issued2012
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/handle/20.500.11801/2035
dc.description.abstractSemiconducting materials change their conductivity in the presence of impurities, lattice defects, an applied electric or magnetic field, or a temperature change. This work will show and explain the electric and magnetic behavior of two semiconducting thin films: CuAlO2 and CuAl1−xFexO2 with x=0.2 (20% doping with iron). For the electric study, the voltage as function of current (V-I) is measured at room temperature using the two-point and four-point probing techniques. In the case of CuAlO2 the I-V measurements show a quasi-linear and symmetric behavior. In the case of CuAl0.8Fe0.2O2 the I-V measurements show ohmic (linear) results. It was found that the two and four point techniques give the same behavior. Conductivity as a function of temperature between 125 K and room temperature, were also studied both samples. For the magnetic study, a magnetic field was applied perpendicularly to the thin films to determine if changes in the conductivity would take place. It was found that the magnetic field has no influence on the samples, in other words, there is no magneto-resistance for applied fields up to 4 teslas (T).en_US
dc.description.abstractLos materiales semiconductores cambian su conductividad por la presencia de im- purezas, por defectos de la red cristalina, si son sometidos a campos eléctricos, magnéticos o a cambios de temperatura. Este trabajo muestra y explica el comportamiento eléctrico y magnético de las dos películas delgadas semiconductoras: CuAlO2 y CuAl1−xFexO2 con x=0.2 (dopado al 20% con hierro). Para el estudio eléctrico se midi el voltaje en función de la corriente (V-I) a temperatura ambiente, usando las técnicas de cuatro puntos y de dos puntos. En el caso del CuAlO2 las medidas de I-V arrojaron un comportamiento simétrico y cuasi-lineal. En el caso del CuAl0.8Fe0.2O2 las medidas de I-V muestran un comportamiento óhmico (lineal). Se encontró el mismo comportamiento para las técnicas de dos puntos y cuatro puntos. También se estudio ́ la conductividad en función de la temperatura (entre 125-293 K) para las dos muestras. Para el estudio magnético se realizaron pruebas con el campo aplicado perpendicularmente sobre el plano de las muestras para lograr determinar si surgen cambios en la conductividad. Se encontró que el campo magnético no tiene influencia sobre las muestras, es decir no hay magnetorresistencia para campos aplicados hasta 4 teslas (T).en_US
dc.language.isoEspañolen_US
dc.titleEstudio eléctrico y magnético de películas delgadas semiconductoras de CuAlO2 y CuAl1−xFexO2 con x=0.2en_US
dc.typeThesisen_US
dc.rights.licenseAll rights reserveden_US
dc.rights.holder(c) 2012 Blanca Camille Rosas-Niñoen_US
dc.contributor.committeeFernández, Félix E.
dc.contributor.committeeRadovan, Henri A.
dc.contributor.representativeLorenzo-González, Edgardo
thesis.degree.levelM.S.en_US
thesis.degree.disciplinePhysicsen_US
dc.contributor.collegeCollege of Arts and Science - Scienceen_US
dc.contributor.departmentDepartment of Physicsen_US
dc.description.graduationSemesterFall (1rst semester)en_US
dc.description.graduationYear2012en_US


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