Show simple item record

dc.contributor.advisorFernández, Félix E.
dc.contributor.authorDíaz-Martínez, Ramón David
dc.date.accessioned2019-04-15T17:19:21Z
dc.date.available2019-04-15T17:19:21Z
dc.date.issued2009
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/handle/20.500.11801/2055
dc.description.abstractThis work presents a procedure that has never been published before for producing transparent CuAlO2 thin films. Pulsed laser deposition was used to fabricate films composed of a mixture of Cu2O and Al2O3 in a proportion stoichiometric to CuAlO2. Samples were then heat treated using a system designed for rapid thermal annealing in order to achieve complete reaction of the two compounds. It was found that deposited films require a heating ramp rising from room temperature up to 1050°C in the order of seconds, and dwell times at this temperature in the order of minutes. Films fabricated by this procedure are single-phase CuAlO2, and have conductivities of up to 0.017 S/cm. The material was found to have grown epitaxially oriented on sapphire substrates by off-plane XRD analysis, and a suitable model for this interface has been proposed.en_US
dc.description.abstractEste trabajo presenta un procedimiento para producir películas delgadas y transparentes de CuAlO2 que no ha sido publicado anteriormente. Se utilizó deposición por láser pulsado para fabricar películas de Cu2O y Al2O3 en una mezcla estequiométrica con respecto a CuAlO2. Las muestras luego fueron sometidas a tratamiento térmico usando un sistema diseñado para calentamiento rápido a fin de lograr la reacción completa de los dos compuestos. Se encontró que las películas depositadas requieren ser sometidas a una rampa de calentamiento ascendente desde temperatura ambiente hasta 1050°C en el orden de segundos y tiempos de recocido a esta temperatura del orden de minutos. Las películas fabricadas mediante este procedimiento resultan en CuAlO2 en fase pura y tienen conductividades de hasta 0.017 S/cm. Se encontró que el material creció orientado epitaxialmente sobre substratos de zafiro mediante análisis de DRX fuera del plano y se propuso un modelo adecuado para esta interfase.en_US
dc.language.isoEnglishen_US
dc.titleSynthesis of CuAlO2 thin films by pulsed laser depositionen_US
dc.typeThesisen_US
dc.rights.licenseAll rights reserveden_US
dc.rights.holder(c) 2009 Ramón David Díaz-Martínezen_US
dc.contributor.committeeRadovan, Henri
dc.contributor.committeeLiu, Huimin
dc.contributor.representativeRomañach, Rodolfo
thesis.degree.levelM.S.en_US
thesis.degree.disciplinePhysicsen_US
dc.contributor.collegeCollege of Arts and Science - Scienceen_US
dc.contributor.departmentDepartment of Physicsen_US
dc.description.graduationYear2009en_US


Files in this item

Thumbnail

This item appears in the following Collection(s)

  • Theses & Dissertations
    Items included under this collection are theses, dissertations, and project reports submitted as a requirement for completing a degree at UPR-Mayagüez.

Show simple item record

All rights reserved
Except where otherwise noted, this item's license is described as All Rights Reserved